Applied Optoelectronics ha presentado un láser EML de 100 Gbps modulado por electro-absorción para diseños transceptores ópticos 400G de próxima generación.
El fabricante destaca que los transceivers EML de alta velocidad “resultan ideales en transmisión de larga distancia”, consecuencia de su pequeño chirp y baja dispersión cromática. El nuevo láser opera a 1310 nm, con una ratio de símbolo de 53 Gbaud, por lo que permite alcanzar 100 Gbps sobre una sola longitud de onda.
Mediante una optimización cuidadosa, los ingenieros del fabricante han podido conseguir un ancho de banda de 38 GHz a +25 °C y superior a los 32 GHz con una temperatura de cubierta de transceptor de hasta +70 °C, cumpliendo así los estándares IEEE 802.3 y 100G Lambda MSA.
El nuevo láser EML de 100 Gbps se basa en la tecnología de producción de AOI y pretende fomentar el desarrollo de transceptores 100G DR1 y 400G DR4/FR4 para una transmisión de fibra de hasta 10 kilómetros.
Así, es posible diseñar transceptores que operan a 400 Gbps mediante la combinación de cuatro láseres de 100 Gbps, en disposiciones Coarse Wavelength Division Multiplexed (CWDM) o Parallel Single-Mode (PSM). El transceptor resultante puede compartir una plataforma común para diferenciarse de los competidores.
Observaciones sobre el láser EML de 100 Gbps
“El láser lambda de 100 Gbps es esencial para la próxima generación de transceptores 400G de alto rendimiento”, comenta Jun Zheng, Vicepresidente de I+D de AOI. “Con la incorporación de este nuevo láser EML de 100 Gbps y el reciente anuncio de un DML PAM4 de 100 Gbps, consolidamos nuestro liderazgo en el desarrollo de tecnología para transceptores 400G de largo alcance, más allá del centro de datos y abrimos la puerta a futuros desarrollos que permitirán mejorar las comunicaciones y, como resultado de esto, ampliar las posibilidades de crear nuevos productos, cada vez más rápidos y eficientes, como pide la sociedad tecnológica de hoy en día”.
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